2026年3月10日，美国科技大厂IBM和半导体设备大厂泛林集团（Lam Research Corp.）宣布达成合作，旨在开发新的工艺和材料，以支持1nm以下逻辑芯片的微缩。基于双方长期以来成功的合作经验，这项新协议将重点联合开发新型材料、制造工艺和高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻工艺，以推进IBM的逻辑芯片微缩路线图。
IBM和泛林集团已合作十余年，致力于推进逻辑器件制造技术的发展，尤其是在早期 7nm、纳米片和 EUV工艺技术方面做出了卓越贡献。根据这项为期五年的新协议，双方计划将逻辑器件的微缩技术拓展至1nm以下节点。合作重点将放在开发新型材料、先进的蚀刻和沉积技术以应对日益复杂的器件架构，以及开发新的High NA EUV 光刻工艺，从而实现下一代互连和器件图案化，并加速行业应用。
不过，当先进逻辑制程推进至1nm或以下时，半导体产业将面临多项技术挑战。
量子效应与漏电问题：当晶体管尺寸接近原子尺度时，电子行为不再完全符合传统半导体物理，可能出现穿隧效应（quantum tunneling），导致漏电增加并影响功耗控制。
材料与光刻技术限制：要持续缩小线宽，需导入High-NA EUV光刻技术，同时光阻与相关材料也可能须重新设计，但相关设备与制程成本相当高昂。
芯片构架与设计调整：随着制程持续微缩，晶体管与互连设计需要重新规划，例如纳米片、纳米堆叠或背面供电等新技术。
老牌杠杆配资公司IBM半导体总经理兼IBM研究院混合云副总裁Mukesh Khare表示：“十多年来，Lam一直是IBM的重要合作伙伴，为逻辑微缩和器件架构方面的关键突破做出了贡献，例如纳米片技术以及IBM于2021年发布的全球首款2nm节点芯片。我们很高兴能够扩大合作，共同应对下一阶段的挑战，以实现高数值孔径极紫外光刻技术和1纳米以下节点工艺。”
△IBM半导体总经理兼IBM研究院混合云副总裁Mukesh Khare和Lam Research首席技术与可持续发展官Vahid Vahedi
“随着行业进入3D微缩的新时代，进步取决于重新思考如何将材料、工艺和光刻技术整合为一个单一的高密度系统，” 泛林集团首席技术与可持续发展官Vahid Vahedi表示。“我们很荣幸能够与IBM在成功合作的基础上，进一步推动高数值孔径EUV干光刻胶和工艺的突破，加速开发低功耗、高性能晶体管，这对于人工智能时代至关重要。”
利用IBM位于纽约州奥尔巴尼纳米科技园区的先进研究能力，以及泛林集团的端到端工艺工具和创新技术（包括Aether®干式光刻胶技术、Kiyo®和Akara®蚀刻平台、Striker®和ALTUS® Halo沉积系统以及先进的封装技术），团队将构建并验证纳米片和纳米堆叠器件以及背面供电的完整工艺流程。这些能力旨在将High-NA的EUV光刻图案可靠地转移到实际器件层中，实现高良率，并支持持续的微缩化、性能提升以及未来逻辑器件的可行量产路径。
编辑：芯智讯-浪客剑
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